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商品目录通用三极管不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)500mV @ 2mA,20mA不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)30 @ 20mA,10V产品状态在售封装/外壳S-Mini功率150 mW工作温度150°C(TJ)晶体管类型PNP电压-集射极击穿(最大值)300 V电流-集电极(Ic)(最大值)100 mA电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)频率-跃迁50MHz
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24437
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商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)500mV @ 2mA,20mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)30 @ 20mA,10V
产品状态在售
封装/外壳S-Mini
功率150 mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型PNP
电压-集射极击穿(最大值)300 V
电流-集电极(Ic)(最大值)100 mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁50MHz


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