小信号MOSFET   2.9mm SOT-23无铅/符合RoHs商品目录 小信号MOSFET 系列 NTR4171P 高度 0.94 mm 长度 2.9 mm 宽度 1.3 mm 配置 Single 下降时间 22 ns 典型接通延迟时间 9 ns 上升时间 16 ns 通道数量 1 Channel 典型关闭延迟时间 32 ns 正向跨导-最小值 7 S 不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 720pF @ 15V 栅极电压Vgs ±12V Pd-功率耗散(Max) 480mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 封装/外壳 SOT-23 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 720pF @ 15V Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.2A,10V FET类型 P-Channel 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250µA...