BUK7M8R0-40EX

产品状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)40 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)69A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)23.8 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1567 pF @ 25 VFET 功能-功率耗散(最大值)75W(Tc)...
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24279
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产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

69A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

8 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23.8 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1567 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

75W(Tc)