PMV100EPAR
产品状态在售FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）130毫欧 @ 2，2A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）17 nC @ 10 VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）616 pF @ 30 VFET 功能-功率耗散（最大值）710mW（Ta），8.3W（Tc）...
货号：
24273
描述
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130毫欧 @ 2，2A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 616 pF @ 30 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 710mW（Ta），8.3W（Tc） |
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