PDTD113ZT,215

产品状态在售晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500 mA电压 - 集射极击穿(最大值)50 V电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)70 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA功率 - 最大值250 mW安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3...
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24257
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产品状态

在售

晶体管类型

NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

50 V

电阻器 - 基极 (R1)

1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)

10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

70 @ 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

300mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值)

500nA

功率 - 最大值

250 mW

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3



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