PBSS5130T,215

产品状态在售晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1 A电压 - 集射极击穿(最大值)30 V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)225mV @ 50mA,1A电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)260 @ 500mA,2V功率 - 最大值480 mW频率 - 跃迁200MHz工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3...
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24255
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产品状态

在售

晶体管类型

PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

1 A

电压 - 集射极击穿(最大值)

30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

225mV @ 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

260 @ 500mA,2V

功率 - 最大值

480 mW

频率 - 跃迁

200MHz

工作温度

150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3



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