PSMN3R5-80YSFX

产品状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)80 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)108 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7227 pF @ 40 VFET 功能-功率耗散(最大值)294W(Ta)...
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产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

150A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

7V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

3.5 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

108 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

7227 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

294W(Ta)