PSMN3R5-80YSFX
产品状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)80 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)108 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7227 pF @ 40 VFET 功能-功率耗散(最大值)294W(Ta)...
货号:
24234
描述
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 80 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 7V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 毫欧 @ 25A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 108 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7227 pF @ 40 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 294W(Ta) |
|