PMV30UN2R
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 4.2A，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11 nC @ 4.5 V | |
Vgs（最大值） | ±12V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 655 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 490mW（Ta），5W（Tc） |
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