产品状态在售技术MOSFET（金属氧化物）配置2 N-通道（双）FET 功能-漏源电压（Vdss）40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.8 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）32.3nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2210pF @ 25V功率 - 最大值68W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装型...