PMV48XPA2R
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，8V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 49毫欧 @ 4A，8V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V | |
Vgs（最大值） | ±12V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 679 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 610mW（Ta），8.3W（Tc） |
关于 / ABOUT 产品 / PRODUCT 方案 / SOLUTION 下载 / DOWNLOAD 资讯 / NEWS 联系 / CONTACT 版权所有 © 2025 盈创高芯电子（深圳）有限公司 粤ICP备2025465890号-1 全国服务热线：4008-xxx-000 |
