MT3S113(TE85L,F)

商品目录RF三极管不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 30mA,5V产品状态在售封装/外壳S-Mini功率800mW工作温度150°C(TJ)晶体管类型NPN电压-集射极击穿(最大值)5.3V电流-集电极(Ic)(最大值)100mA频率-跃迁12.5GHz
货号:
23965
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商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 30mA,5V
产品状态在售
封装/外壳S-Mini
功率800mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)5.3V
电流-集电极(Ic)(最大值)100mA
频率-跃迁12.5GHz


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