HN4C06J-BL(TE85L,F

商品目录三极管/双极型晶体管不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 2mA,6V产品状态不适用于新设计封装/外壳SMV功率300mW工作温度150°C(TJ)晶体管类型2 NPN(双)共发射极电压-集射极击穿(最大值)120V电流-集电极(Ic)(最大值)100mA电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)频率-跃迁100MHz
货号:
23952
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商品目录三极管/双极型晶体管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 2mA,6V
产品状态不适用于新设计
封装/外壳SMV
功率300mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型2 NPN(双)共发射极
电压-集射极击穿(最大值)120V
电流-集电极(Ic)(最大值)100mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁100MHz


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