HN1C03FU-A(TE85L,F

商品目录三极管/双极型晶体管不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)100mV @ 3mA,30mA不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 4mA,2V产品状态在售封装/外壳US6功率200mW工作温度150°C(TJ)晶体管类型2 NPN(双)电压-集射极击穿(最大值)20V电流-集电极(Ic)(最大值)300mA电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)频率-跃迁30MHz
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23929
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商品目录三极管/双极型晶体管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)100mV @ 3mA,30mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 4mA,2V
产品状态在售
封装/外壳US6
功率200mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型2 NPN(双)
电压-集射极击穿(最大值)20V
电流-集电极(Ic)(最大值)300mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁30MHz


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