MT3S20TU(TE85L)

商品目录RF三极管不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)100 @ 50mA,5V产品状态最后售卖封装/外壳UFM功率900mW工作温度150°C(TJ)晶体管类型NPN电压-集射极击穿(最大值)12V电流-集电极(Ic)(最大值)80mA频率-跃迁7GHz
货号:
23888
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商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)100 @ 50mA,5V
产品状态最后售卖
封装/外壳UFM
功率900mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)12V
电流-集电极(Ic)(最大值)80mA
频率-跃迁7GHz


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