商品目录通用MOSFET技术MOSFET（金属氧化物）配置2 N-通道（双）FET 功能-漏源电压（Vdss）40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11.7A（Ta），36A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）11.7 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）8nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）420pF @ 25V功率 - 最大值3.1W（Ta），28W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerTDFN...