功率MOSFET 8-PowerUDFN
功率MOSFET 8-PowerUDFNRF4E075ATTCR 无铅/符合RoHs商品目录 功率MOSFET FET类型 P-Channel 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 7.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V 栅极电压Vgs ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V 工作温度 150°C(TJ) 封装/外壳 8-PowerUDFN...
货号：
19750
描述
功率MOSFET 8-PowerUDFN
RF4E075ATTCR
无铅/符合RoHs
商品目录 功率MOSFET
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 7.5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 8-PowerUDFN
