RV2E014AJT2CL
小信号MOSFET DFN1006-3RV2E014AJT2CL无铅/符合RoHs商品目录 小信号MOSFET 封装/外壳 DFN1006-3 FET类型 N-Channel Pd-功率耗散(Max) 0.6W 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 1.4A Rds On(Max)@Id,Vgs 0.29Ω@4.5V
货号：
19742
描述
小信号MOSFET DFN1006-3
RV2E014AJT2CL
无铅/符合RoHs
商品目录 小信号MOSFET
封装/外壳 DFN1006-3
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 0.6W
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 1.4A
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.29Ω@4.5V
