NTD2955T4G
商品目录功率MOSFET不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）750pF @ 25V栅极电压Vgs±20VPd-功率耗散(Max)55W(Tj)工作温度-55°C~175°C(TJ)不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）30nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）750pF @ 25VRds On(Max)@Id,Vgs180mΩ@6A,10V封装/外壳TO-252-3,Dpak,SC-63FET类型P-Channel漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id12A(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA...
货号：
22525
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 750pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 55W(Tj) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 750pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ@6A,10V | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 12A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
