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商品目录达林顿晶体管FET类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电阻器-基底（R1）（欧姆）2.2k电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）47K Ohms不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）80 @ 5mA,10V不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）250mV @ 300µA,10mA电流-集电极截止（最大值）500nA功率1/4W封装/外壳SC-88FET类型NPN+PNP集电极最大允许电流Ic100mA集电极_发射极击穿电压VCEO50V...
货号：
22515
描述
| 商品目录 | 达林顿晶体管 | |
|---|---|---|
| FET类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 2.2k | |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 47K Ohms | |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA,10V | |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | |
| 功率 | 1/4W | |
| 封装/外壳 | SC-88 | |
| FET类型 | NPN+PNP | |
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V |
