FDA24N50F
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds500V连续漏极电流Id24A(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）85nC @ 10V电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V栅极电压Vgs±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4310pF @ 25V电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V功率270W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs200 毫欧 @ 12A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3...
货号：
22502
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 500V | |
| 连续漏极电流Id | 24A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 85nC @ 10V | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4310pF @ 25V | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| 功率 | 270W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200 毫欧 @ 12A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
