BS170-D26Z
商品目录小信号MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id500mA(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA栅极电压Vgs±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）40pF @ 10V功率830mW(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs5 欧姆 @ 200mA,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
货号：
22498
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 500mA(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 40pF @ 10V | |
| 功率 | 830mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5 欧姆 @ 200mA,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
