2N7002LT1G
商品目录小信号MOSFETFET类型N-Channel连续漏极电流Id115mA(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）5V,10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V栅极电压Vgs±20V功率225mW(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs7.5 欧姆 @ 500mA,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳SOT-23漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id0.115A不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA...
货号：
22496
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 115mA(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 50pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 功率 | 225mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 0.115A | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 50pF @ 25V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
