NTMFS5C442NLT1G
商品目录功率MOSFET不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）50nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3100pF @ 25V栅极电压Vgs±20V功率3.1W(Ta),69W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs2.8 毫欧 @ 50A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)FET类型N-Channel漏源极电压Vds40V连续漏极电流Id27A(Ta), 130A(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250µA封装/外壳5-DFN(5x6)(8-SOFL)...
货号：
22492
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3100pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 功率 | 3.1W(Ta),69W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.8 毫欧 @ 50A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 27A(Ta), 130A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | |
| 封装/外壳 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
