FGY160T65SPD-F085
商品目录功率MOSFETIGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）650V电流 - 集电极（Ic）（最大值）240A脉冲电流 - 集电极 (Icm)480A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.05V @ 15V,160A功率882W开关能量12.4mJ(开),5.7mJ(关)输入类型标准25°C 时 Td（开/关）值53ns/98ns测试条件400V,160A,15V反向恢复时间（trr）132ns工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)封装/外壳TO-247
货号：
22487
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 240A | |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 480A | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.05V @ 15V,160A | |
| 功率 | 882W | |
| 开关能量 | 12.4mJ(开),5.7mJ(关) | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 53ns/98ns | |
| 测试条件 | 400V,160A,15V | |
| 反向恢复时间（trr） | 132ns | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247 |
