商品目录功率MOSFETFET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）360 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18 nC @ 10 VVgs（最大值）±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）730 pF @ 400 VFET 功能-功率耗散（最大值）83W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）...