PCP1302-TD-H
商品目录功率MOSFETFET类型P-Channel连续漏极电流Id3A(Ta)驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4V,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.4nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)262pF @ 20V栅极电压Vgs±20V功率3.5W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs266 毫欧 @ 1.5A,10V工作温度150°C(TJ)封装/外壳SOT-89漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id3A...
货号:
22473
描述
商品目录 | 功率MOSFET | |
---|---|---|
FET类型 | P-Channel | |
连续漏极电流Id | 3A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 1mA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.4nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 262pF @ 20V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
功率 | 3.5W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 266 毫欧 @ 1.5A,10V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-89 | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 3A |