PCP1302-TD-H

商品目录功率MOSFETFET类型P-Channel连续漏极电流Id3A(Ta)驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4V,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.4nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)262pF @ 20V栅极电压Vgs±20V功率3.5W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs266 毫欧 @ 1.5A,10V工作温度150°C(TJ)封装/外壳SOT-89漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id3A...
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22473
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商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
连续漏极电流Id3A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)262pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
功率3.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs266 毫欧 @ 1.5A,10V
工作温度150°C(TJ)
封装/外壳SOT-89
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id3A


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