FQT4N25TF
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds250V连续漏极电流Id830mA(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）5.6nC @ 10V栅极电压Vgs±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）200pF @ 25V功率2.5W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs1.75 欧姆 @ 415mA,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-261-4,TO-261AA...
货号：
22466
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 250V | |
| 连续漏极电流Id | 830mA(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.6nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 200pF @ 25V | |
| 功率 | 2.5W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.75 欧姆 @ 415mA,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
