FDV301N

商品目录小信号MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds25V连续漏极电流Id220mA(Ta)驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)2.7V,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.06V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.7nC @ 4.5V栅极电压Vgs±8V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9.5pF @ 10V功率350mW(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs4 欧姆 @ 400mA,4.5V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3...
货号:
22465
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商品目录小信号MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds25V
连续漏极电流Id220mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.06V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.7nC @ 4.5V
栅极电压Vgs±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9.5pF @ 10V
功率350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs4 欧姆 @ 400mA,4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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