FDV301N
商品目录小信号MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds25V连续漏极电流Id220mA(Ta)驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)2.7V,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.06V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.7nC @ 4.5V栅极电压Vgs±8V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9.5pF @ 10V功率350mW(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs4 欧姆 @ 400mA,4.5V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3...
货号:
22465
描述
商品目录 | 小信号MOSFET | |
---|---|---|
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 25V | |
连续漏极电流Id | 220mA(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.7V,4.5V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.06V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.7nC @ 4.5V | |
栅极电压Vgs | ±8V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 9.5pF @ 10V | |
功率 | 350mW(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |