FDMS86102LZ
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds100V连续漏极电流Id7A(Ta),22A(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）22nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V栅极电压Vgs±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1305pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds50V功率2.5W(Ta),69W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs25mΩ@7A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳8-PowerTDFN...
货号：
22463
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 7A(Ta),22A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1305pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 50V | |
| 功率 | 2.5W(Ta),69W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 25mΩ@7A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
