FDC6420C
商品目录小信号MOSFETFET类型N+P-Channel漏源极电压Vds20V连续漏极电流Id3A,2.2ARds On(Max)@Id,Vgs70 毫欧 @ 3A,4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）4.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）324pF @ 10V功率7/10W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳SuperSOT™-6
货号：
22418
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N+P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 3A,2.2A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70 毫欧 @ 3A,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 324pF @ 10V | |
| 功率 | 7/10W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SuperSOT™-6 |
