NVD6824NLT4G
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel连续漏极电流Id41 A漏源极电压Vds100 VRds On(Max)@Id,Vgs23 m0hms栅极电压Vgs2.5V栅极电压Vgs-20 V、+20 V引脚数目3功率90W最低工作温度-55 °C最高工作温度+175 °C宽度6.22mm晶体管材料Si典型关断延迟时间31 ns典型接通延迟时间15 ns封装/外壳6.73 x 6.22 x 2.38mm
货号：
22411
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 41 A | |
| 漏源极电压Vds | 100 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 功率 | 90W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 封装/外壳 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
