6HP04CH-TL-W
商品目录小信号MOSFET不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.84nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）24.1pF @ 20V栅极电压Vgs±20VRds On(Max)@Id,Vgs4.2 欧姆 @ 190mA,10V工作温度150°C(TJ)FET类型P-Channel漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id370mA(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4V,10V封装/外壳3-CPH
货号：
22393
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.84nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 24.1pF @ 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2 欧姆 @ 190mA,10V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 370mA(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | |
| 封装/外壳 | 3-CPH |
