FDG8842CZ
商品目录小信号MOSFETFET类型N+P-Channel漏源极电压Vds30V,25V连续漏极电流Id750mA,410mARds On(Max)@Id,Vgs400 毫欧 @ 750mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.44nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）120pF @ 10V功率3/10W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳SC-70-6
货号：
22369
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N+P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V,25V | |
| 连续漏极电流Id | 750mA,410mA | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 400 毫欧 @ 750mA,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.44nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 120pF @ 10V | |
| 功率 | 3/10W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SC-70-6 |
