FDV302P
商品目录小信号MOSFETFET类型P-Channel漏源极电压Vds25V连续漏极电流Id120mA(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）2.7V,4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.31nC @ 4.5V栅极电压Vgs±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）11pF @ 10V功率350mW(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs10 欧姆 @ 200mA,4.5V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3...
货号：
22333
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 25V | |
| 连续漏极电流Id | 120mA(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.31nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11pF @ 10V | |
| 功率 | 350mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10 欧姆 @ 200mA,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
