FDMS86200
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds150V连续漏极电流Id9.6A(Ta),35A(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）6V,10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）46nC @ 10V栅极电压Vgs±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2715pF @ 75V功率2.5W(Ta),104W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs18 毫欧 @ 9.6A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳8-PowerTDFN电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds75V...
货号：
22331
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 150V | |
| 连续漏极电流Id | 9.6A(Ta),35A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2715pF @ 75V | |
| 功率 | 2.5W(Ta),104W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 毫欧 @ 9.6A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 75V |
