HGTP5N120BND
商品目录功率MOSFETIGBT 类型NPT电压 - 集射极击穿（最大值）1200V电流 - 集电极（Ic）（最大值）21A脉冲电流 - 集电极 (Icm)40A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.7V @ 15V,5A功率167W开关能量450µJ(开),390µJ(关)输入类型标准25°C 时 Td（开/关）值22ns/160ns测试条件960V,5A,25 欧姆,15V反向恢复时间（trr）65ns工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-220AB
货号：
22318
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| IGBT 类型 | NPT | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 21A | |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 40A | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.7V @ 15V,5A | |
| 功率 | 167W | |
| 开关能量 | 450µJ(开),390µJ(关) | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 22ns/160ns | |
| 测试条件 | 960V,5A,25 欧姆,15V | |
| 反向恢复时间（trr） | 65ns | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
