FDMQ86530L
商品目录功率MOSFET漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id8ARds On(Max)@Id,Vgs17.5 毫欧 @ 8A,10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2295pF @ 30V功率1.9W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳12-MLP(5x4.5)FET类型N-Channel
货号：
22315
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 8A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.5 毫欧 @ 8A,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2295pF @ 30V | |
| 功率 | 1.9W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 12-MLP(5x4.5) | |
| FET类型 | N-Channel |
