商品目录功率MOSFETFET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13.4A（Ta），47.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.3 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）62.3 nC @ 10 VVgs（最大值）±25V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2706 pF @ 15 VFET 功能-功率耗散（最大值）2.66W（Ta），33.8W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）...