FDC637AN
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds20V连续漏极电流Id6.2A(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）2.5V,4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）16nC @ 4.5V栅极电压Vgs±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1125pF @ 10V功率1.6W(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs24 毫欧 @ 6.2A,4.5V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6...
货号：
22298
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 6.2A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1125pF @ 10V | |
| 功率 | 1.6W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
