FDD390N15ALZ

商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds150V连续漏极电流Id26A(Tc)驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)39nC电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10V栅极电压Vgs±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1760pF电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds75V功率63W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs42 毫欧 @ 26A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63...
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22267
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商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds150V
连续漏极电流Id26A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)39nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1760pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds75V
功率63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs42 毫欧 @ 26A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


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