FGA3060ADF
商品目录功率MOSFETIGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）600V电流 - 集电极（Ic）（最大值）60A脉冲电流 - 集电极 (Icm)90A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.3V @ 15V,30A功率176W开关能量960µJ(开),165µJ(关)输入类型标准25°C 时 Td（开/关）值12ns/42.4ns测试条件400V,30A,6 欧姆,15V反向恢复时间（trr）26ns工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)封装/外壳TO-3PN
货号：
22252
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 60A | |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 90A | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.3V @ 15V,30A | |
| 功率 | 176W | |
| 开关能量 | 960µJ(开),165µJ(关) | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/42.4ns | |
| 测试条件 | 400V,30A,6 欧姆,15V | |
| 反向恢复时间（trr） | 26ns | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-3PN |
