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商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds40V连续漏极电流Id51A(Tc)驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)7nC @ 4.5V栅极电压Vgs±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)880pF @ 25V功率38W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs7.3 毫欧 @ 10A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)封装/外壳8-PowerWDFN...
货号:
22232
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商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds40V
连续漏极电流Id51A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)7nC @ 4.5V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)880pF @ 25V
功率38W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs7.3 毫欧 @ 10A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳8-PowerWDFN


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