NTNS3A65PZT5G
商品目录小信号MOSFETFET类型P-Channel漏源极电压Vds20V连续漏极电流Id281mA(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）1.5V,4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.1nC @ 4.5V栅极电压Vgs±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）44pF @ 10VPd-功率耗散(Max)155mW(Ta)Rds On(Max)@Id,Vgs1.3Ω@200mA,4.5V工作温度-55°C~150°C(TJ)封装/外壳SC-101,SOT-883...
货号：
22225
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 281mA(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.1nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 44pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 155mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.3Ω@200mA,4.5V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
