FQU2N60CTU
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds600V连续漏极电流Id1.9A(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @ 10V栅极电压Vgs±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）235pF @ 25VPd-功率耗散(Max)2.5W(Ta),44W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs4.7Ω@950mA,10V工作温度-55°C~150°C(TJ)封装/外壳TO-251-3 ,IPak,TO-251AA...
货号：
22219
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 1.9A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),44W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7Ω@950mA,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-251-3 ,IPak,TO-251AA |
