FCD850N80Z
商品目录功率MOSFETFET类型N-Channel漏源极电压Vds800V连续漏极电流Id6A(Tc)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 600µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）29nC @ 10V栅极电压Vgs±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1315pF @ 100VPd-功率耗散(Max)75W(Tc)Rds On(Max)@Id,Vgs850mΩ@3A,10V工作温度-55°C~150°C(TJ)封装/外壳TO-252-3,Dpak,SC-63...
货号：
22212
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 800V | |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 600µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1315pF @ 100V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 75W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 850mΩ@3A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 |
