2N7002KT1G
商品目录小信号MOSFET不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V栅极电压Vgs±20VPd-功率耗散(Max)350mW(Ta)工作温度-55°C~150°C(TJ)封装/外壳SOT-23不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20VRds On(Max)@Id,Vgs1.6Ω@500mA,10VFET类型N-Channel漏源极电压Vds60V连续漏极电流Id320mA(Ta)驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA...
货号：
22202
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 24.5pF @ 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 24.5pF @ 20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6Ω@500mA,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 320mA(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
