商品目录功率MOSFETFET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2.4mOhm @ 80A，4.5V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）125 nC @ 10 VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）6700 pF @ 25 VFET 功能-功率耗散（最大值）227W（Tj）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）...