商品目录功率MOSFET技术MOSFET（金属氧化物）配置2 N-通道（双）FET 功能-漏源电压（Vdss）60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.5A（Ta），26A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）28 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 13µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）2nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）350pF @ 25V功率 - 最大值3W（Ta），19W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerTDFN...