NTJD4152PT1G
商品目录功率MOSFET封装/外壳SOT-363FET类型P-ChannelRds On(Max)@Id,Vgs260mΩ@880mA,4.5VPd-功率耗散(Max)272mW工作温度-55℃~150℃栅极电压Vgs±12V漏源极电压Vds-20V连续漏极电流Id-0.88A
货号：
22188
描述
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
|---|---|---|
| 封装/外壳 | SOT-363 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260mΩ@880mA,4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 272mW | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 连续漏极电流Id | -0.88A |
