NTR4502PT1G
商品目录小信号MOSFET系列NTR4502P高度0.94 mm长度2.9 mm宽度1.3 mm配置Single典型接通延迟时间5.2 ns上升时间12 ns通道数量1 Channel典型关闭延迟时间19 ns正向跨导-最小值3 S驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）10nC @ 10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）200pF @ 15V栅极电压Vgs±20VPd-功率耗散(Max)400mW(Tj)Rds On(Max)@Id,Vgs200mΩ@1.95A,10V工作温度-55°C~150°C(TJ)封装/外壳SOT-23FET类型P-Channel漏源极电压Vds30V连续漏极电流Id1.13A...
货号：
22181
描述
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
|---|---|---|
| 系列 | NTR4502P | |
| 高度 | 0.94 mm | |
| 长度 | 2.9 mm | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| 配置 | Single | |
| 典型接通延迟时间 | 5.2 ns | |
| 上升时间 | 12 ns | |
| 通道数量 | 1 Channel | |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns | |
| 正向跨导-最小值 | 3 S | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 200pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 400mW(Tj) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200mΩ@1.95A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 1.13A |
